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CuO薄膜的阻变存储特性

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成果类型:
期刊论文
作者:
胡苹;尹岚;陈铀;李树玮
作者机构:
南华大学 数理学院,湖南 衡阳,421001
中山大学 物理科学与工程技术学院,广东 广州,510275
[李树玮] 中山大学
[尹岚; 胡苹; 陈铀] 南华大学
语种:
中文
关键词:
分子束外延;双极阻变开关;非易失性
关键词(英文):
molecular beam epitaxy;bipolar resistive switching;nonvolatile
期刊:
南华大学学报(自然科学版)
ISSN:
1673-0062
年:
2014
期:
3
页码:
76-81
基金类别:
国家自然科学基金资助项目(11347203); 湖南省教育厅基金资助项目(11C1073);
机构署名:
本校为第一机构
院系归属:
数理学院
摘要:
利用等离子体辅助的分子束外延设备在SrTiO3掺Nb(Nb:STO)的衬底上制备了双层的Cu2O/ CuO 薄膜,经过测量其电流电压特性,发现Pt/ Cu2O/ CuO/ Nb:STO 器件的阻变存储特性非常显著,而且可重复程度高,适合多次数据写入与擦除,有望应用于信息存储领域。
摘要(英文):
In this letter,bilayered Cu2 O /CuO thin films were grown on Nb doped SrTiO3( Nb: STO) substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy. The current-voltage characteristics of Pt /Cu2 O /CuO /Nb: STO devices show reproducible and pronounced current-voltage hysteresis which was induced by the CuO /Nb: STO junctions. The device can be used as information stora...

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