期刊论文

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材料导报

1005-023X

2016

01

184-186+190

湖南省教育厅科学研究项目（13C811）；

本校为第一机构

利用SRIM软件计算模拟不同能量的硅离子注入硅靶的作用过程、能量损失、硅靶损伤情况。结果表明,随入射硅离子能量的增加,其运动方向偏离入射方向的程度越来越大,且平均投影射程越来越大;硅靶的损伤区域越来越大,且级联损伤占总损伤的比例也越来越大;电离能损、声子能损不断增大,且电离能损随能量的变化近似为一直线;电离能损占总能损的比例不断增加,声子能损占总能损的比例不断减少;位错、空位和替位碰撞的数量都不断地增大。