1.宏粒子强化黑曲霉浸出低品位铀矿石中铀的方法，其特征是：包括如下步骤： A、铀矿石的破磨 待处理低品位铀矿石经自然风干、破碎、混匀、缩分后，通过球磨机磨细制得矿粉，矿粉过140目标准筛，取筛下低品位铀矿粉备用； B、配置培养基 培养基包括用于黑曲霉孢子培养的PDA培养基和用于铀矿浸出的土豆浸粉-葡萄糖培养基，所述土豆浸粉-葡萄糖培养基，按照每1000 mL水中加入4 g土豆浸粉和20 g葡萄糖的比例制备；培养基置于121℃高压蒸汽灭菌0.5 h后备用； C、制备黑曲霉孢子悬液 用接种环沾取黑曲霉孢子，在PDA培养基上划线接种，将沾取黑曲霉孢子的PDA培养基放置于30℃恒温培养箱中培养3～5 d；然后用无菌蒸馏水冲洗PDA培养基表面成熟的黑曲霉孢子，再采用0.45 μm的过滤器对黑曲霉孢子进行过滤，过滤后滴入改良纽鲍尔计数板进行计数并稀释，制得浓度为106～109spores/mL的孢子悬液； D、宏粒子强化黑曲霉浸取铀 将矿粉装入牛皮纸袋，宏粒子放置于浸矿容器中并用牛皮纸封口，分别密封牛皮纸袋和浸矿容器后将其后置于121℃高压蒸汽灭菌0.5h，在无菌操作台中将冷却后的土豆浸粉-葡萄糖培养基和孢子悬液加入到装有宏粒子的浸矿容器中，然后放置到恒温振荡培养箱中0～3d，恒温振荡培养箱的温度为25～35℃，转速为150～180rpm； 在无菌操作台中将已灭菌的矿粉加入到装有土豆浸粉-葡萄糖培养基、孢子悬液及宏粒子的浸矿容器中，矿浆浓度为2%-4%，然后将浸矿容器放置到恒温振荡培养箱中，在温度为25～35℃、转速为150～180rpm条件下恒温振荡浸出2～4d； 所述的矿粉与宏粒子的质量比为1:0.5～2.5； 所述的宏粒子为陶瓷颗粒或玻璃珠，粒径为0.5～3mm； 所述的孢子悬液与土豆浸粉-葡萄糖培养基的体积比为1：100； E、固液分离 从恒温振荡培养箱中取出浸矿容器，将浸矿容器中菌丝体包裹的矿粉与宏粒子的混合物倒入过滤装置中进行固液分离，固液分离后使用三氯化钛还原/钒酸铵氧化滴定法测定分离出的尾渣的铀品位，并计算出低品位铀矿石中铀的浸出率，浸出率的计算：（1-尾渣铀含量/原矿铀含量）×100%=铀的浸出率。
