Above-Threshold 1/f Noise Expression for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Considering Series Resistance Noise

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成果类型：

期刊论文

作者：

He, Hongyu*;Zheng, Xueren;Zhang, Shengdong

通讯作者：

He, Hongyu

作者机构：

[He, Hongyu; Zhang, Shengdong] Peking Univ, Shenzhen Grad Sch, Sch Elect & Comp Engn, Shenzhen 518005, Peoples R China.

[He, Hongyu; Zhang, Shengdong] Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China.

[He, Hongyu] Univ South China, Sch Elect Engn, Hengyang 421001, Peoples R China.

[Zheng, Xueren] S China Univ Technol, Sch Elect & Informat Engn, Guangzhou 510640, Guangdong, Peoples R China.

通讯机构：

[He, Hongyu] P

Peking Univ, Shenzhen Grad Sch, Sch Elect & Comp Engn, Shenzhen 518005, Peoples R China.

语种：

英文

关键词：

InGaZnO (IGZO);low frequency noise;series resistance noise;Thin-film transistor (TFT)

期刊：

IEEE Electron Device Letters

ISSN：

0741-3106

年：

2015

卷：

期：

页码：

1056-1059

DOI：

10.1109/LED.2015.2469723

基金类别：

Thin-Film Transistors and Advanced Display Laboratory, Shenzhen; Shenzhen Municipal Scientific Program [JCYJ20140417144423195]; China Post-Doctoral Science FoundationChina Postdoctoral Science Foundation [2015M570012]; National Science Foundation of ChinaNational Natural Science Foundation of China (NSFC) [61504003, 61574048]

机构署名：

本校为其他机构

院系归属：

电气工程学院

摘要：

The 1/f noise expression is presented for the amorphous InGaZnO thin-film transistors (TFTs) at low drain voltage. Considering the mobility power-law parameter α in the TFTs, Ghibaudo's carrier number fluctuation model with the series resistance noise is applied to obtain the analytical normalized drain current noise power spectral density expression. The expression is compared with the numerical calculation, and verified...

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